等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平？
等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平，關(guān)鍵在于放電通道形成的位置是否是樣件表面微觀凸起的位置，如果能夠使放電通道更多的是在微觀凸起的位置形成，則微觀凸起位置的材料優(yōu)先去除，表面粗糙度降低。一定條件下拋光所能達到的極小粗糙度值取決于單次放電所形成的坑痕的深度，坑痕深度越小，極小粗糙度值越小。對于拋光開始階段呈現(xiàn)出的粗糙度快速下降趨勢，是因為在拋光的前5分鐘，由于樣件表面存在明顯凹凸不平的狀態(tài)，而凸起的位置電場強度大，因此放電通道更多地選擇在凸起的位置形成，粗糙度下降速度最快，隨著拋光時間的延長，樣件凹凸不平的狀態(tài)得到改善，放電通道更多在微觀凸起位置形成的趨勢減弱，因此粗糙度下降的速度減小。
在不同電壓的條件下，粗糙度下降速度的不同也與不同電壓下氣層的厚度不同有關(guān)。低電壓條件下，氣層薄，微觀起伏造成的電場強度差異更明顯，而且電子經(jīng)過電場加速到達樣件表面時的速度更小，單次放電產(chǎn)生坑痕更淺，因此粗糙度值下降的速度快，而且所能達到的極小粗糙度值也更小。隨著電壓的升高，氣層變厚，微觀起伏造成的電場強度差異變小，電子經(jīng)過電場加速到達樣件表面時的速度增大，因此粗糙度值下降的速度減緩，所能達到的極小粗糙度值也增大，但是電壓過低時，也造成瞬時局部短路的幾率增大，而瞬時局部短路使樣件表面獲得的能量和所形成的坑痕深度都遠大于一般的單次放電，就在一定程度上減緩的粗糙度值下降的速度，并增大了所能形成的極小粗糙度值，因此在220-250V電壓條件下粗糙度值的下降速度并不快于電壓為270-290V時，最終的極小粗糙度值也大于電壓為270-330V時。
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